安森德MOS管ASDM100R066NQ替代美国万代(AOS)的AON6220

安森德ASDM100R066NQ

采用SGT工艺，具有低开启电压、超低Rdson、Ciss小、开关速度快的特点，DFN5*6封装散热性能好，占用空间小，应用稳定，具有高功率密度、输出线性好、能效高、温升低等优势。

ASDM100R066NQ可替代

美国万代(AOS)的AON6220/AON6224。

主要特点

先进的沟道MOS技术

低栅极电荷

100%EAS保证

绿色设备可用

N-MOS

耐压100V

RDS(on)低至5.9mΩ

ID为68A

ASDM100R066NQ应用

ASDM100R066NQ可应用于

快充65W产品、台式计算机的电源管理、电信和工业的隔离DC/DC转换器中。

ASDM100R066NQ已应用于AUKEY傲基双C口63W快充、雷柏氮化镓快充充电器配备1A1C双输出口、联想拯救者电竞手机Pro专用双C口充电器65W、倍思65W 2C1A氮化镓快充充电器等众多知名品牌的快充应用中。